模電總結復習資料_模擬電子技術基礎
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- 一.半導體的基礎知識
1.半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(如硅Si、鍺Ge)。
2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。
3.本征半導體----純凈的具有單晶體結構的半導體。
4. 兩種載流子 ----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。
5.雜質半導體----在本征半導體中摻入微量雜質形成的半導體。體現的是半導體的摻雜特性。
*P型半導體: 在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。
*N型半導體: 在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。
6. 雜質半導體的特性
*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質濃度，少子濃度與溫度有關。
*體電阻---通常把雜質半導體自身的電阻稱為體電阻。
*轉型---通過改變摻雜濃度，一種雜質半導體可以改型為另外一種雜質半導體。
7. PN結
* PN結的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。
* PN結的單向導電性---正偏導通，反偏截止。
8. PN結的伏安特性
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