現(xiàn)代功率模塊及器件應(yīng)用技術(shù)
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- 現(xiàn)代功率模塊及器件應(yīng)用技術(shù)引言
最近20年來，功率器件及其封裝技術(shù)的迅猛發(fā)展，導(dǎo)致了電力電子技術(shù)領(lǐng)域的巨大變化。當(dāng)今的市場要求電力電子裝置要具有寬廣的應(yīng)用范圍、量體裁衣的解決方案、集成化、智能化、更小的體積和重量、效率更高的芯片、更加優(yōu)質(zhì)價廉、更長的壽命和更短的產(chǎn)品開發(fā)周期。在過去的數(shù)年中已有眾多的研發(fā)成果不斷提供新的、經(jīng)濟(jì)安全的解決方案，從而將功率模塊大量地引入到一系列的工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域中。
因此，有必要就功率模塊的應(yīng)用技術(shù)，如選型、驅(qū)動、保護(hù)、冷卻、并聯(lián)和串聯(lián)以及軟開關(guān)電路等，進(jìn)行一次全面的系列介紹。
1 IGBT和MOSFET功率模塊
1.1 應(yīng)用范圍
如圖1所示，當(dāng)前眾多的電力電子電路可由功率MOSFET或IGBT來實現(xiàn)。從上世紀(jì)80年代開始，它們先后出現(xiàn)于市場。與傳統(tǒng)的晶閘管相比，它們具有一系列的優(yōu)點，如可關(guān)斷的特性（包括在短路狀態(tài)下）、不需要緩沖網(wǎng)絡(luò)、控制單元簡單、開關(guān)時間短、開關(guān)損耗低等。
圖1 功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍
現(xiàn)在，電力電子技術(shù)不斷地滲透到新的應(yīng)用領(lǐng)域中，這首先歸功于IGBT和功率MOSFET的迅速發(fā)展。同時，它們的應(yīng)用在其現(xiàn)有的領(lǐng)域內(nèi)也在不斷地深化。數(shù)年前，高耐壓雙極型功率晶體管還被廣泛地應(yīng)用著。而現(xiàn)在只能在少數(shù)例外情況下發(fā)現(xiàn)它的蹤影，其位置已幾乎完全被IGBT所取代。 ...
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