模擬電子技術基礎(第四版)答案
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- 第1 半導體基礎知識
自測題
一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V
四、UO1＝6V UO2＝5V
五、根據PCM＝200mW可得：UCE＝40V時IC＝5mA，UCE＝30V時IC≈6.67mA，UCE＝20V時IC＝10mA，UCE＝10V時IC＝20mA，將改點連接成曲線，即為臨界過損耗線。圖略。
六、1、
UO＝UCE＝2V。
2、臨界飽和時UCES＝UBE＝0.7V，所以
七、T1：恒流區；T2：夾斷區；T3：可變電阻區。
習題
1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A
1.2不能。因為二極管的正向電流與其端電壓成指數關系，當端電壓為1.3V時管子會因電流過大而燒壞。
1.3 ui和uo的波形如圖所示。
1.4 ui和uo的波形如圖...
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